5月25日（木）に、東京都品川区でセミナー「パワーデバイスの高耐熱接合、実装技術と信頼性評価」が開催され、本学電気電子工学科山田靖教授が講師を務め、企業の技術者らに対して講座を行いました。山田教授は、第１講座「パワーデバイスの接合における信頼性評価」を担当しました。
　ＳｉＣやＧａＮを用いたパワー半導体デバイスについて、２００℃以上の高温動作が可能になります。それらを実現するためには、デバイス実装技術の中でも接合技術が重要です。接合技術は、Ａｇナノ系、合金系など、様々な技術が研究されていますが、低コストを狙ったＣｕナノ系も候補の１つと思われています。山田教授は講座で、Ｃｕナノ粒子接合を中心に、パワーサイクル信頼性などについて説明しました。